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대한전자공학회 전자공학회논문지-IE 전자공학회논문지 TE편 제39권 제1호
발행연도
2002.3
수록면
31 - 36 (6page)

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낮은 에너지의 보론 이온을 선비정질화된 실리콘 기판과 단결정 기판에 이온 주입하여 0.2㎛ 정도의 접합 깊이를 갖는 박막의 p+-n 접합을 형성하였다. 이온주입에 의한 결정결함의 제거 및 주입된 보론 이온의 활성화를 위해 급속 열처리기를 이용하였으며, BPSG(boro-phosphosilicate glass)를 흐르도록 하기 위해 노 열처리를 도입하였다. 선비정질화 이온주입은 45keV, 3×1014cm-2 Ge 이온을 사용하였으며, p형 불순물로는 BF2 이온을 20keV, 2×1015cm-2로 이온주입 하였다. 급속 열처리와 노 열처리 조건은 각각 1000℃/ 10초와 850℃/40분이었다. 형성된 접합의 접합깊이는 SIMS와 ASR로 측정하였으며, 4-point probe로 면저항을 측정하였다. 또한 전기적인 특성은 다이오드에 역방향 전압을 인가하여 측정된 누설전류로 분석하였다. 측정 결과를 살펴보면, 급속 열처리만을 수행하여도 양호한 접합 특성을 나타내나, 급속 열처리와 노 열처리를 함께 고려해야 할 경우에는 노 열처리 후에 급속 열처리를 수행하는 공정이 급속 열처리 후에 노 열처리를 수행하는 경우보다 더 우수한 박막 접합 특성을 나타내었다.

목차

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 실험 방법

Ⅲ. 실험 결과 분석

Ⅳ. 결론

참고문헌

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