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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.5
- 수록면
- 37 - 42 (6page)
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본 논문에서는 선비정질화, 저에너지 이온 주입, 이중 열처리 공정을 이용하여 p+-n 박막 접합을 형성하였다. Ge 이온을 이용하여 결정 Si 기판을 선비정질화하였다. 선비정질화된 시편과 결정 기판에 p-형 불순물인 BF₂ 이온을 주입하여 접합을 형성 하였다. 열처리는 급속 열처리 (RTA : rapid thermal anneal) 방법과 850℃의 노 열처리(FA: furnace anneal) 방법을 병행하였다. 두 단계의 이중 열처리 방법으로 네 가지 조건을 사용하였는데 , 이는 RTA(750℃/10초)+FA, FA+RTA(750℃/10초), RTA(1000℃/10초)+FA, FA+RTA(1000℃/10초)이다. Ge 선비정질화를 통하여 시편의 접합 깊이를 감소시킬 수 있었다. RTA 온도가 1000℃인 경우에는 RTA 보다는 FA를 먼저 수행하는 것이 접합 깊이 (X??), 변저항(R??), R??·x??, 누설 전류 등의 모든 면에서 유리함을 알 수 있었다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 분석
4. 결론
참고문헌
저자소개
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