저에너지 이온 주입 방법으로 형성된 박막 p+-n접합의 열처리 조건에 따른 특성

김재영 ,  이충근 ,  홍신남 외 2명

전자공학회논문지-SD

2004 .05

박막 p+-n 접합 형성과 보론 확산 시뮬레이터 설계

이충근 ,  김재영 ,  김보라 외 1명

전기전자재료학회논문지

2004 .01

박막 접합 형성을 위한 열처리 방법에 관한 연구

한명석 ,  김재영 ,  이충근 외 1명

전자공학회논문지-IE

2002 .03

As 선비정질화를 이용한 P⁺-N 접합의 특성 고찰

한명석 ,  김생환 ,  이창진 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1991 .05

FORMATION OF ULTRA SHALLOW JUNCTION USING ADDITIONAL RAPID THERMAL ANNEALING ( RTA ) PROCESS

Kil Ho Lee ,  Sang Ho Yu

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1995 .01

Surface Treatment of Ge Grown Epitaxially on Si by Ex-Situ Annealing for Optical Computing by Ge Technology

Xiaochi Chen ,  Yijie Huo ,  Seongjae Cho 외 5명

IEIE Transactions on Smart Processing & Computing

2014 .10

BPSG 공정조건을 고려한 P⁺-N 박막 접합 형성에 관한 연구

이우철 ,  한명석 ,  홍신남

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

이온주입 및 열처리 조건에 따른 박막접합의 특성 비교 ( Comparison of Shallow Junction Properties depending on Ion Implantation and Annealing Conditions )

홍신남 ,  김재영

전자공학회논문지-D

1998 .07

열산화 T${a_2}{O_5}$박막에 미치는 RTA후처리의 영향

문환성 ,  이재석 ,  한성욱 외 4명

한국재료학회지

1993 .01

RTA에 의한 BPSG막의 REFLOW특성 ( A Study on the Reflow Characteristics of BPSG Film by Rapid Thermal Anneal )

이철진 ,  성영권 ,  안용철 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

RTA에 따른 Sr_0.7Bi_2.3Nb₂O₉ 박막의 표면특성

김진사 ,  서동수 ,  신철기 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2013 .07

급속 열처리 ( RTA ) 에 의한 실리콘 이온주입 갈륨 비소의 활성화 특성에 관한 연구 ( A study on the activation characteristics of silicon ion implanted GaAs by RTA )

심규환 ,  편광의 ,  박형무 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

비정질 As-Se-S-Ge계 박막의 광특성에 관한 연구 ( A Study on the Optical Properties of Amorphous As-Se-S-Ge system Thin Film )

김상덕 ,  윤중현 ,  이재규 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1993 .01

RTA시스템에서의 Water의 온도 Simulation과 제어방법 ( Water Temperature Simulation and Control Algorithm in RTA System )

조병진 ,  김경태 ,  김충기

대한전자공학회 학술대회

1987 .05

GE 7FA.03 가스터빈 1단 Bucket Platform 손상해석

함형봉 ,  김정주 ,  문희구

대한기계학회 춘추학술대회

2017 .06

GE Aircraft Engines : GE F404 for the KTX-2, and GE90 : The Engine with the Future Built In

William J. Dwye

한국항공우주학회 단행본

2000 .01

Prevention of degradation in poly $Si_{1-x}Ge_x$/high K structure by controlling Ge content in poly $Si_{1-x}Ge_x$ films

Ko ,  D.H. ,  Kang 외 13명

한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회

2002 .01

산화물 박막 커패시터의 RTA 처리와 유전 특성에 관한 연구

김인성 ,  이동윤 ,  조영란 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2001 .11

열산화 $Ta_{2}O_{5}$ 박막의 RTA후처리의 영향

문환성 ,  한성욱 ,  박상균 외 4명

한국재료학회 학술발표대회

1992 .01

실리콘을 이온주입한 갈륨비소의 RTA에 의한 활성화 특성 ( Activation Characteristics of Si-Implanted GaAs by RTA )

심규환 ,  편광의 ,  박형무 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1987 .01