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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제41권 제5호
발행연도
2004.5
수록면
23 - 36 (14page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2011

GaAs 기반 $In_{0.52}Al_{0.48}As/In_{0.53}Ga_{0.47}As$ 이종접합 구조를 갖는 MHEMT 소자의 DC 특성에 대한 calibration 연구
손명식 반도체디스플레이기술학회지 2011.01 학술저널

2004

밀리미터파용 HEMT 소자 개발 및 제작을 위한 T-게이트 형성 전자빔 리소그래피 공정 모의 실험기 개발
손명식 ,  김성찬 ,  신동훈 외 6명 전자공학회논문지-SD 2004.05 학술저널

2003

100㎓ 이상의 밀리미터파 HEMT 소 제작 및 개발을 위한 GaAs기반 0.1㎛ Γ-게이트 MHEMT의 DC/RF 특성에 대한 calibration 연구
손명식 ,  이복형 ,  이진구 대한전자공학회 학술대회 2003.07 학술대회자료

초록· 키워드

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밀리미터파 대역용 고속 HEMT 소자 제작 및 개발을 위하여 0.1㎛ 이하의 T-게이트 길이를 형성하기 위한 전자빔 리소그래피 공정을 분석할 수 있는 새로운 몬테 카를로 시뮬레이터를 개발하였다. 전자빔에 의한 노광 공정 모델링을 위해 전자 산란에 대한 몬테 카를로 시뮬레이션에서 다층 리지스트 및 다원자 타겟 기판 구조에서 리지스트에 전이되는 에너지를 효율적으로 계산하도록 내부 쉘 전자 산란과 에너지 손실에 대해 새로이 모델링하였다. 다층 리지스트 구조에서 T-게이트 형상을 얻기 위해서 보통은 재현성 문제로 각 리지스트에 대해 각기 다른 현상액을 사용하게 되는데 ,3층 리지스트 구조에서의 전자빔 리소그래피 공정을 정확하게 시뮬레이션하기 위해 각기 다른 현상 모델을 적용하였다. 본 논문에서 제안 개발된 모델을 사용하여 HEMT 소자의 전자빔 리소그래피에 의한 0.1㎛ T-게이트 형성 공정을 시뮬레이션하고 SEM 측정 결과와 비교 하여 T-게이트 형성 공정을 분석하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 전자 산란에 대한 몬테 카를로 시뮬레이션 모델

3. T-게이트 형성 공정에 대한 노광 및 현상 모델링

4. 시뮬레이션 결과 및 논의

5. 결론

참고문헌

저자소개

참고문헌 (15)

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[학술지(정기간행물)] - M. Kotera / 1989. / A Monte Carlo simulation of primary and secondary electron trajectories in a specim en 65 (10) : 3991 ~ 3998 google schola [학술지(정기간행물)] - D. C. Joy / 1995. / Monte Carlo Modeling for Electron Microscopy and Microanalysis google schola [학술지(정기간행물)] - Y M Gueorguieve, / 1996. / A program for Monte Carlo simula tion of penetration and scattering of accelerated electrons in multicomponent multilayer targets 47 (10) : 1227 ~ 1230 google schola [학술지(정기간행물)] - Kang-Yoon Lee / 1990. / Monte Carlo simulation energy dissipation in electron beam lithography including secondary electron generation 67 : 7560 ~ 7567 google schola [학술지(정기간행물)] - Su-Hwan Kim / 1998. / New Approach of Monte Carlo Simulation for Low-Energy Electron-Beam Litho graphy 42 : 179 ~ 182 google schola

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