GaAs 기반 $In_{0.52}Al_{0.48}As/In_{0.53}Ga_{0.47}As$ 이종접합 구조를 갖는 MHEMT 소자의 DC 특성에 대한 calibration 연구

손명식

반도체디스플레이기술학회지

2011 .01

저온에서 500 ㎓의 f_t를 가지는 In_0.52Al_0.48As/In_0.53Ga_0.47As Metamorphic GaAs HEMT의 제작

홍윤기 ,  최도영 ,  홍승호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2007 .07

저온에서 500 ㎓의 f_t를 가지는 In_0.52Al_0.48As/In_0.53 Ga_0.47 As Metamorphic GaAs HEMT의 제작

홍윤기 ,  최도영 ,  홍승호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2007 .07

InAlAs/InGaAs/GaAs MHEMT 소자의 항복 특성에 관한 연구

손명식

전자공학회논문지-SD

2011 .11

InAlAs/InGaAs/GaAs 100 nm-게이트 MHEMT 소자의 에피 구조 최적화 설계에 관한 연구

손명식

반도체디스플레이기술학회지

2011 .01

[능동회로 및 부품] 2단계 게이트 리세스 방법으로 제작한 100 nm mHEMT 소자의 DC 및 RF 특성

윤형섭 ,  민병규 ,  장성재 외 11명

한국전자파학회논문지

2019 .04

두꺼운 air bridge 열분산과 backside 공정을 통한 In_0.4GaAs MHEMT의 열적 특성 향상

노진현 ,  류연미 ,  민일홍 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2010 .11

밀리미터파 응용을 위한 우수한 성능의 50 nm Metamorphic HEMTs

류근관 ,  김성찬

전기전자학회논문지

2012 .06

AlGaN/GaN HEMT의 DC 및 RF 특성 최적화

손성훈 ,  김태근

전자공학회논문지-SD

2011 .09

Improved Breakdown Voltage Characteristics of In_0.5Ga_0.5P/In_0.22Ga_0.78As/GaAs p-HEMT with an Oxidized GaAs Gate

I-H. Kang ,  J-W. Lee ,  S-J. Kang 외 5명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2003 .06

70 ㎚ T-게이트를 갖는 InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT 소자의 제작 및 특성

김성찬 ,  임병옥 ,  백태종 외 3명

전자공학회논문지-SD

2004 .09

AlGaAs / GaAs HEMT 소자의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characterization of GaAs / AlGaAs HEMT Device )

이진희 ,  윤형섭 ,  강석봉 외 7명

전자공학회논문지-A

1994 .09

Metamorphic HEMT를 이용한 60 ㎓ 대역 고출력 Push-Push 발진기

이종욱

한국전자파학회논문지

2006 .07

35㎚ In_0.52Al_0.48As/In_0.53Ga_0.47As Metamorphic GaAs HEMT의 제작

김영수 ,  이강승 ,  홍윤기 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2006 .11

기존의 MHEMT와 InP 합성 채널 MHEMT의 소자의 항복 특성 분석 및 비교 연구

최석규 ,  백용현 ,  한민 외 3명

전자공학회논문지-SD

2007 .12

DC and RF Characteristics of 0.15 um Power Metamorphic HEMTs

Jae Yeob Shim ,  Hyung-Sup Yoon ,  Dong Min Kang 외 2명

[ETRI] ETRI Journal

2005 .12

InP-합성 채널 MHEMT의 리세스 폭의 변화에 대한 주파수 특성과 항복 전압에 관한 비교 연구

최석규 ,  백용현 ,  오정훈 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2007 .07

Hemt 의 해석적인 DC 모델링 ( Analytic DC Modelling of High electron Mobility Transistor Hemt )

정준영 ,  장용성 ,  문호원 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1991 .07

게이트 폭의 변화에 따른 P-HEMT의 특성연구 ( Characteristics of Pseudomorphic HEMTs with Various Gate Widths )

강순종 ,  이준서 ,  하정혁 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1993 .10

HEMT 소자 제작을 위한 GaAs/AlGaAs층의 선택적 건식식각 ( Selective Dry Etching of GaAs/AlGaAs Layer for HEMT Device Fabrication )

김흥락 ,  서영석 ,  양승주 외 4명

전자공학회논문지-A

1991 .11