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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.5
- 수록면
- 509 - 516 (8page)
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Cu 및 BCB 공정을 사용하여 고성능 RF 수동회로를 실리콘 기판 상에 구현하는 RF 수동 집적회로 공정을 개발하였다. 이러한 기술은 개별 수동소자를 통한 모듈 구현방식보다 훨씬 작고 저렴하며 우수한 성능의 RF모듈을 구현할 수 있게 하였다. 개발된 실리콘 수동 집적회로 공정으로 제작된 내경 225 um, 회전수 2.5의 인덕터는 2.7 nH의 인덕턴스를 가지며 1 GHz 이상에서 30 이상의 품질계수를 가지는 것으로 측정되었다. 또한 개발된 인덕터를 사용하여 WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package) 형태의 수동회로를 제작하였다. 제작된 저역 여파기는 2차 고조파 억제를 위해 인덕터 내경 안에 병렬공진용 커패시터를 삽입하였고 2.45 GHz에서 0.5 dB 이하의 삽입손실을 보였다. 그리고 고역 여파기와 저역 여파기 구조를 가지는 발룬 회로는 2.45 GHz에서 0.5 dB 이하의 삽입손실과 182도의 출력 단자간 위상 차이를 보여주었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 수동 집적회로를 위한 공정기술 및 수동소자의 특성
Ⅲ. RF 수동 집적회로의 구현
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (13)
참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - / oct.2001. / High Q LTCC-based passive library for wireless system-on-package(SOP) module development 49 (10) : 1715 ~ 1724
[학술지(정기간행물)] - / sep.2001. / Multilayer thin-film MCM-D for the integration of high-performance RF and microwave circuits 24 (3) : 510 ~ 519
[학술지(정기간행물)] - / 1995. / Monolithic planar inductor and waveguide substrate on silicon with performance comparable to those in GaAs MMIC : 717 ~ 720
[학술지(정기간행물)] - / aug.1997. / High performance planar inductor on oxidized porous silicon(OPS) substrate 7 (8) : 236 ~ 238
[학술지(정기간행물)] - / Jun.2002 / High performance RF passive integration on Si smart substrate : 1561 ~ 1564
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