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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제41권 제8호
발행연도
2004.8
수록면
629 - 639 (11page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2004

폴리 게이트의 양자효과에 의한 Double-Gate MOSFET의 특성 변화 연구
박지선 ,  이승준 ,  신형순 전자공학회논문지-SD 2004.08 학술저널

2003

폴리게이트의 양자 효과에 따른 Double-Gate MOSFET의 단채널 효과 분석
박지선 ,  신형순 대한전자공학회 학술대회 2003.07 학술대회자료

초록· 키워드

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Density-gradient 방법을 이용하여 게이트의 양자효과가 double-gate MOSFET의 단채널 효과에 미치는 영향을 2차원으로 분석하였다. 게이트와 sidewall 산화막 경계면에서 발생하는 2차원 양자공핍 현상에 의하여 게이트 코너에 큰 전하 다이폴이 형성되며 subthreshold 영역에서 다이폴의 크기가 증가하고 classical 결과에 비하여 전자 농도와 전압 분포가 매우 다름을 알 수 있었다. Evanescent-mode 분석을 통하여 게이트의 양자효과가 소자의 딘채널 효과를 증가시키며 이는 기판에서의 양자효과에 의한 영향보다 크다는 것을 확인하였다. 양자효과에 의하여 게이트 코너에 형성되는 전하 다이폴이 단채널 효과를 증가시키는 원인임을 밝혔다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 본론

3. 결론

참고문헌

저자소개

참고문헌 (7)

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[학술지(정기간행물)] - / //public.itrs.net/files/2003itrs/home2003.htm / International Technology Roadmap for Semicon -ductors 2003 edition.http google schola [학술지(정기간행물)] - S. Hareland, / 1996 / IEEE Trans. on Electron Devices google schola [학술지(정기간행물)] - K. Krisch / 1996 / IEEE Electron Device Lett. google schola [학술지(정기간행물)] - M.G. Ancona / 2000 / IEEE Trans. on Electron Devi -ces google schola [학술지(정기간행물)] - D. Connelly / 2002 / IEEE Trans. on Electron Devices google schola

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