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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.10
- 수록면
- 15 - 22 (8page)
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기존의 MOSFET는 단채널 현상의 증가로 인하여 스케일링에 한계를 가지고 있다. Double-Gate MOSFET (DG-MOSFET)는 소자의 길이가 축소되면서 나타나는 단채널 현상을 효과적으로 제어하는 차세대 소자이다. DG-MOSFET으로 소자를 축소시키면 채널 길이가 10nm 이하에서 게이트 방향뿐만 아니라 소스와 드레인 방향에서도 양자 효과가 발생한다. 또한 게이트 길이가 매우 짧아지면 ballistic transport 현상이 발생한다. 따라서 본 연구에서는 2차원 양자 효과와 ballistic transport를 고려하여 DG-MOSFET의 특성을 분석하였다. 또한 단채널 효과를 줄이기 위해서 t<SUB>si</SUB>와 underlap 그리고 lateral doping gradient를 이용하여 소자 구조를 최적화하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 2차원 양자 효과를 고려한 시뮬레이터
Ⅲ. Symmetric DG-MOSFET의 특성 분석
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (11)
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1. [학술지(정기간행물)] - F. Balestra / 1987 / Double-Gate Silicon-on- Insulator with Volume Inversion: A New Device with Greatly Enhanced Performance / IEEE Electron Device Letters 8 (9) : 410 ~ 412
2. [학술지(정기간행물)] - T. Tanaka / 1991 / Analysis of p+ Poly Si Double-Gate Thin-Film SOI MOSFETS / IEDM Tech. Digest : 683 ~ 686
3. [학술지(정기간행물)] - K. Suzuki / 1995 / Analytical Models for n+-p+ Double-Gate SOI MOSFET's / IEEE trans. on Electron Devices 42 (11) : 1940 ~ 1948
4. [단행본] - Z. Ren / 2001 / Nanoscale MOSFETs: Physics, Simulation and Design / Purdue University : 41 ~ 64
5. [학술지(정기간행물)] - S. Datta / 2000 / Nonoscale Device Modeling: the Green's function method / Superlattices and Microstructures 28 (4) : 253 ~ 278
2. [학술지(정기간행물)] - T. Tanaka / 1991 / Analysis of p+ Poly Si Double-Gate Thin-Film SOI MOSFETS / IEDM Tech. Digest : 683 ~ 686
3. [학술지(정기간행물)] - K. Suzuki / 1995 / Analytical Models for n+-p+ Double-Gate SOI MOSFET's / IEEE trans. on Electron Devices 42 (11) : 1940 ~ 1948
4. [단행본] - Z. Ren / 2001 / Nanoscale MOSFETs: Physics, Simulation and Design / Purdue University : 41 ~ 64
5. [학술지(정기간행물)] - S. Datta / 2000 / Nonoscale Device Modeling: the Green's function method / Superlattices and Microstructures 28 (4) : 253 ~ 278
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