Buffered Oxide Etch 세정에 의한 다결정 실리콘 TFT의 전기적 특성 개선

남영묵; 배성찬; 최시영

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자료유형: 학술저널

저자정보: 남영묵 배성찬 최시영

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제41권 제8호

발행연도: 2004.8

수록면: 643 - 648 (6page)

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본 논문에서는 UV 처리와 BOE 세정을 이용하여 레이저 어닐링 전의 실리콘 표면에 자연 산화막을 제거하여 다결정 실리콘 TFT의 신뢰성을 향상시키는 방법을 제안하였다. 전처리 공정이 다결정 실리콘의 표면 거칠기에 미치는 영향을 AFM으로 측정하였으며, 다결정 실리콘 TFT의 전기적 특성인 스위칭 특성과 항복특성을 대형 유리기판의 위치와 전처리의 유무에 대해서 조사하였다.

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[학술지(정기간행물)] - G. Aichmayr, / April1999 / Dynamics of lateral grain growth during the laser interference crystalliza -tion of a-Si 85 (8) : 4010 ~ 4013

[학술지(정기간행물)] - C. T. Angelis, / October1999 / Effect of excimer laser annealing on the structural and electrical properties of polycry -stalline silicon thin-film transistors 86 (8) : 4600 ~ 4606

[학술지(정기간행물)] - Byung-Hyuk Min / November1997 / Electrical characteristics of poly-Si TFT's with smooth surface roughness at oxide/poly-Si interface 44 (11) : 2036 ~ 2038

[학술지(정기간행물)] - Chun-Yen Chang / March1996 / Fabrication of thin film transistors by chemical mechanical polished polycrystalline sili -con films 17 (3) : 100 ~ 102

[학술지(정기간행물)] - Noriyoshi Yamauchi / / Polycrystalline silicon thin films processed with silicon ion im -plantation and subsequent solid-phase crystalli -zation Journal of Applied Physics 75 : 3235 ~ 3257

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