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대한전자공학회 전자공학회논문지-TC 전자공학회논문지 TC편 제41권 제12호
발행연도
2004.12
수록면
125 - 130 (6page)

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본 논문에서는 EM held 시뮬레이션을 통한 CMOS 공정의 온-칩 직사각형 나선 구조의 인덕터 특성을 보여주고있다. EM field 시뮬레이션을 위해서 ADS 모멘텀을 사용하였으며, 실제 검증은 하이닉스 0.35㎛ CMOS 공정을 이용하여 인덕터를 제작, 측정하였다. 이 연구에서는 일반 CMOS 공정에서의 전송선로의 넓이, 턴 횟수와 같은 기하학적인 변화에 따른 인덕터의 특성이 조사되었다. 실험과 시뮬레이션 결과는 거의 일치하였으며 5 이하의 Q- factor 를 가질 때 1nH 에서 6nH 의 인덕턴스 분포를 가지는 것을 확인할 수 있었다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 본론

Ⅲ. 결론

참고문헌

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참고문헌 (5)

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