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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제42권 제1호
발행연도
2005.1
수록면
1 - 8 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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Sol-gel 법을 이용하여 Pt/TiOx/SiO₂/Si 기판 위에 314×10-4 cm² 의 상부전극 연적을 갖는 PLT(5) 박막을 제작하여 스위칭 및 retention 특생에 대해 연구하였다 4V 에서 356×10-7A/cm² 의 누설전류밀도 값을 갖는 우수한 PLT(5) 박막에 펄스전압을 2V 에서 5V 까지 인가하였다 펄스전압 증가에 따라 스위칭 시간은 관계에서부터 0.14 us 까지 감소하는 경향을 나타냈으며 , 부하저항을 50Ω에서 33kΩ으로 증가시킴에 따라 스위칭 시간이 0.l4ps 에서 137Ps 로 증가하는 것이 관찰되었다. 인가된 펄스 전압에 대한 스위칭 시간의 관계로부터 구한 활성화 에너지 (E5) 는 135kV/cm 이었다. PLT(5) 박막의 이력곡선과 분극 스위칭 실험으로부터 구한 switched charge density 사이의 오차 는 약 10% 정도로 비교적 찰 일치하였으며, retention 특성은 105s 이후에도 약 8% 정도의 우수한 분극 감소 특성을 나타내었다

목차

요약

Abstract

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 실험방법

Ⅲ. 결과 및 논의

Ⅳ. 결론

참고문헌

저자소개

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