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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.3
- 수록면
- 9 - 16 (8page)
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Si1-xGex 위의 Si 반전층에서의 이동도를 반전층에서의 양자현상(버금띠 에너지와 파동함수)과 완화시간어림셈을 고려하여 계산하였다. 반전층에서의 양자현상은 슈뢰딩거 방정식과 포아슨 방정식을 자체 모순없이 계산하여 얻었다. 완화시간은 밸리내 산란과 밸리사이 산란을 고려하여 계산하였다. 그 결과 Ge 함량이 증가됨에 따라 이동도가 증가되는 이유는 4-폴드 밸리에 존재하는 전자의 이동도보다 2-폴드 밸리에 존재하는 전자의 이동도가 약 3배 정도 크며 대부분의 전자가 밸리의 분리에 의해 2-폴드 밸리에 존재하기 때문이라는 것을 알 수 있었다. 한편, 포논 산란만을 고려한 이동도를 실험치와 일치시키기 위하여 전체 이동도에는 반전층 계면에서의 산란과 쿨롱 산란을 포함시켰다. 계산된 전계, 온도, 그리고 Ge 함량에 의존하는 이동도는 실험치와 근접하도록 변형포텐셜을 설정하였으며 정확한 결과를 위해서는 Si 에너지띠의 비포물성을 고려해야함을 확인하였다.
목차
요 약
Abstract
Ⅰ. 서 론
Ⅱ. 수치 해석적 모델
Ⅲ. 시뮬레이션 결과 및 고찰
Ⅳ. 결 론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (16)
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[학술지(정기간행물)] - S. Takagi / 1996. / Comparative study of phonon-limited mobility of two-dimensional electrons in strained and unstrained Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistors 80 (3) : 1567 ~ 1577
[학술지(정기간행물)] - M. V. Fischetti / 2002 / On the enhanced electron mobility in strained-silicon inversion layers 92 (12) : 7320 ~ 7324
[학술지(정기간행물)] - F. Gmiz / 2002. / Electron transport in strained Si inversion layers grown on SiGe-on-insulator substrates 92 (1) : 288 ~ 295
[학술지(정기간행물)] - J. B. Roldn / 2004. / Simulation and modeling of transport properties in strained-Si and strained-Si/SiGe-on-insulator MOSFETs 48 : 1347 ~ 1355
[학술지(정기간행물)] - K. Rim / 2002. / Characteristics and device design of sub-100 nm strained Si N- and PMOSFETs : 98 ~ 99
[학술지(정기간행물)] - M. V. Fischetti / 2002 / On the enhanced electron mobility in strained-silicon inversion layers 92 (12) : 7320 ~ 7324
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