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Sil-xGex / Si 에피택셜층의 건식산화동안 Ge 재분포 ( The Ge Redistribution During Dry Oxidation of Si1-xGex / Si Epitaxial Layer )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
축적된 Ge층이 Si₁-ₓGeₓ/Si의 산화막 성장에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
Si1-xGex / Si 구조에서의 Hall 이동도 ( Hall Mobility in Si1-xGex / Si Structure )
대한전자공학회 학술대회
1998 .07
Si1-xGex 층의 건식산화 동안 Ge 재 분포와 상호 확산의 영향
전기전자재료학회논문지
2005 .01
고농도 Ge fraction을 갖는 Si1-xGex막의 Epitaxial Growth에 대한 In-Situ Phosphorus Doping 효과 ( In-situ Phosphorus Doping Effect on Epitaxial Growth of Si1-xGex Film with High Ge Fraction )
대한전자공학회 학술대회
1998 .07
Si1-xGex/Si에피택셜층의 건식산화동안 Ge 재분포
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
THE GROWTH , PROPERTIES AND APPLICATIONS OF Si1-xGex ALLOYS
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1989 .01
$SiO_2$ 위에 LP-CVD로 증착한 비정질 $Si/Si_{0.69}Ge_{0.31}, Si_{0.69}Ge_{0.31}Si$ 및 Si의 결정화 거동
한국재료학회 학술발표대회
1995 .01
a-Si / a-Si1-xGex 박막의 고상 결정화 온도에 따른 성장거동 및 미세구조에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1995 .01
Si-xGex P-MOSFET 단채널효과의 해석학적 모델 ( An Analytical Model of Short Channel Effects of Si1-xGex P-MOSFETS )
대한전자공학회 학술대회
1995 .11
g-Value Calculation in Amorphous Si1-xGex Alloys
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
저압 CVD에 의한 Si0.8 Ge0.2 막의 Epitaxial Growth ( Epitaxial Growth of Si0.8 Ge0.2 Layer by LPCVD )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2막의 Epitaxial Growth
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
플라즈마를 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Plasma-assisted epitaxial growth of Ge layer on Si ( 100 ) in H2 Plasma )
대한전자공학회 학술대회
1988 .11
비정질 Si1-xGex의 고상결정화에 따른 결함 형성과 결정 성장 기구 ( Defect Formation and Crystal Growth Mechanism on the Solid Phase Crystallization of Amorphous Si1-xGex Thin Films )
한국통신학회 공개발표회 및 토론회
1997 .01
비정질 Si1-XGeX의 고상결정화에 따른 결함 형성과 결정 성장 기구 ( Defect Formation and Crystal Growth Mechanism on the Solid Phase Crystallization of Amorphous Si1-xGex Thin Films )
한국통신학회 학술대회논문집
1997 .01
Optical Properties of Si1-xGex / Si ( 001 ) quantum Wells Studied by Spectroscopic Ellipsometry
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
Si₁ₓ-Geₓ/Si 구조에서의 Hall 이동도
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
PAE에 의한 GaAs / Ge / Si구조를 의한 Si기판위의 Ge 결정성장 ( Ge crystal growth on Si substrate for GaAs / Ge / Si structure by Plasma Assisted Epitaxy )
대한전자공학회 학술대회
1989 .07
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