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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Institute of Information Scientists and Engineers Journal of Electrical Engineering and Information Science Journal of Electrical Engineering and Information Science Vol.3 No.6
- 발행연도
- 1998.12
- 수록면
- 856 - 862 (7page)
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A new analytic model describing recombination current for N-p-n AlxGal-xAs/GaAs heterojunction bipolar transistor is presented considering the terms of distance within the emitter side graded layer. The analytical formulas for the recombination are derived to have a simple expression applying the new approximation technique and give a physical insight of the emitter grading mechanism. This model has the advantage of analyzing effectively the influence of recombination due to the linearly mole grading in space charge region. Especially, in case of no graded and small graded layer, the calculated results using the presented model shows an excellent agreement with the previous results.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. The Emitter Grading Method
Ⅲ. The Derivations of the Recombination Characteristic Equation in SCR
Ⅳ. Results and Discussions
Ⅴ. Conclusions
Appendix
Acknowledgments
References
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