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본 연구는 SIMS를 이용한 bismuth titanate 박막의 깊이방향 분석에 있어서 mesh grid를 사용한 경우와 사용하지 않은 경우, offset voltage를 사용한 경우와 사용하지 않은 경우 등 분석조건에 따른 charging effect 그리고 검출한계의 특성을 검토하고자 하였다. 결과에 따르면 -40 V의 offset voltage를 사용하였을 경우는 charging effect의 감소는 물론 검출한계도 낮출 수 있었으나 mesh grid를 사용하였을 경우에는 charging effect는 다소 줄일 수 있었으나 반면 검출 한계는 오히려 높아졌다. O- 일차이온을 적용한 경우는 -40 V의 offset voltage를 사용하였을 때와 동일한 효과를 얻을 수 있었다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
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