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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제9권 제4호
발행연도
2000.12
수록면
373 - 378 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2000

MOCVD Bi₄Ti₃O₁₂ 박막의 실리콘 위에서의 증착기구 및 유기 금속원료의 펄스주입법에 의한 박막 특성 개선
이석규 ,  김준형 ,  최두현 외 5명 Applied Science and Convergence Technology 2000.12 학술저널
MOCVD Bi₄Ti₃O₁₂ 박막의 실리콘 위에서의 증착기구 및 유기금속원료의 펄스주입법에 의한 박막 특성 개선
이석규 ,  김준형 ,  황민욱 외 4명 한국진공학회 학술발표회초록집 2000.02 학술대회자료

초록· 키워드

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실리콘 기판 위에서 TiO₂와 Bi₂O₃의 박막 성장은 반응속도론 측면에서 커다란 차이를 보였지만, Bi₄Ti₃O₁₂ (BIT) 박막의 성장은 주로 TiO₂ 성장 거동에 의해 지배를 받았다. 그 결과, BIT 박막은 bismuth가 부족한 조성을 가지게 되었다. 박막 내에 부족한 bismuth의 양을 보충해 줌으로써 이러한 문제점을 해결하고자 펄스 주입 유기 금속 화학 기상 증착(MOCVD) 방법을 사용하였다. 이러한 펄스 주입법에 의해 bismuth의 양은 증가하였고 또한, 박막의 깊이 방향으로의 조성이 균일해졌고 Bi₄Ti₃O₁₂과 Si사이의 계면이 향상되었다. 게다가, Bi₄Ti₃O₁₂ 박막의 결정성은 크게 향상되었고 누설 전류 밀도는 연속 주입법에 비해 ½에서 ⅓정도 낮아졌다. 시계 방향의 C-V 이력 곡선이 관찰되었고 이로 인해 펄스 주입법에 의해 증착된 Bi₄Ti₃O₁₂ 박막은 강유전성에 의해 스위칭이 됨을 알 수 있었다.

목차

요약

Abstracts

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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