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한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 논문집 태양에너지 제15권 제3호
발행연도
1995.12
수록면
141 - 149 (9page)

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텅스텐 산화물 박막이 전자 비임에 의해 실리콘 기판 위에 제작되었다. 여러가지 전해질에 의해 퇴화된 막의 두께와 구조는 후방산란분광, 라만분광, 광전자분광 및 전자현미경에 의해 연구되었다. 텅스텐 산화물 박막은 1몰의 황산 전해질속에서 두께가 가장 많이 용해 되었으며, 수분에 의해 촉진된 것을 확인하였다. 그러나 글리세린이 포함된 전해질에 의해서 퇴화된 막의 전자구조는 제작된 막과 비교할 때 변화가 없었다. 막의 퇴화는 두께와 표면 구조변화에도 그 원인이 있을을 보였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 논의

4. 결론

References

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