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한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 학술대회논문집 한국태양에너지학회 96 추계태양에너지학술발표회논문집
발행연도
1996.11
수록면
41 - 45 (5page)

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The sheet resistance as a function of total gas flow rate and oxygen flow rate has been investigated for the deposition of boron on silicon by using a BBr₃ liquid source. Uniform boron deposition was obtained at 2.8 SLM of main nitrogen gas flow rate. With increasing oxygen flow rate sheet resistance increased due to the high consumption of BBr₃ in low temperature zone before depositing on wafers. In the hybrid PERL/BCSC structure using optimized boron process, an open circuit voltage (Voc) of 682㎷ and short circuit current density (Jsc) of 39.9㎃/㎠ were demonstrated. This paper discusses the boron process and application to hybrid solar cell processing.

목차

Abstract

1. Introduction

2. Experimental method

3. Result and discussion

4. Conclusion

References

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