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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1997.9
- 수록면
- 96 - 100 (5page)
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A spin valve structure of NiO(40 ㎚)/Co(2 ㎚)/Cu(2.6 ㎚)/Co(x ㎚)/CoNbZr(y ㎚)/Ta(5 ㎚) has been investigated for the application of magnetic random access memory (MRAM). The spin valve structure exhibited very large difference in the coercivities between pinned and free layers, a relatively high GMR ratio, and a low free layer coercivity. The spin valves were prepared by sputtering and were characterized by dc 4-point probe, and VSM. The spin valves with combined free layer exhibited a maximum GMR ratio of 10.4 % with a free layer coercivity of about 82 Oe. The spin valves with a single 10 ㎚ thick a-CoNbZr free layer exhibited a GMR ratio of about 4.3 % with a free layer coercivity of about 12 Oe. The GMR ratio of the spin valves increased by addition of Co between Cu and a-CoNbZr. It has been confirmed that the coercivity of free layer can be decreased by increasing the thickness of a-CoNbZr layer without losing the GMR ratio substantially, which was mainly due to high resistivity of the amorphous "layers".
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experimental
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Conclusion
Acknowledgment
References
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