Magnetoresistance Characteristics of Magnetic Tunnel Junctions Consisting of Amorphous CoNbZr Alloys for Under and Capping Layers

Byong Sun Chun; Seong-Rae Lee; Young Keun Kim

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자료유형: 학술저널

저자정보: Byong Sun Chun Seong-Rae Lee Young Keun Kim

저널정보: 한국자기학회 Journal of Magnetics Journal of Magnetics Vol.9 No.1

발행연도: 2004.3

수록면: 13 - 16 (4page)

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Magnetic tunnel junctions (MTJs) comprising amorphous CoNbZr layers have been investigated. Co_(85.5)Nb_8Zr_(6.5) (in at. %) layers were employed to substitute the traditionally used Ta layers with an emphasis given on understanding underlayer effect. The typical junction structure was SiO₂/CoNbZr or Ta 2/CoFe 8/IrMn 7.5/CoFe 3/ Al 1.6 + oxidation/CoFe 3/CoNbZr or Ta 2 (㎚). For both as-deposited state and after annealing, the CoNbZrunderlayered structure showed superior surface smoothness up to the tunnel barrier than Ta-underlayerd one (rms roughness of 0.16 vs. 0.34 ㎚). CoNbZr-based MTJs was proven beneficial for increasing thermal stability and increasing Vh (the bias voltage where MR ratio becomes half) characteristics than Ta-based MTJs. This is because the CoNbZr-based junctions offer smoother interface structure than the Ta-based one.

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[학술지(정기간행물)] - J. S. Moodera / 1995 / Phys. Rev. Lett. 74, 3273 (1995) / Phys. Rev. Lett.

[학술지(정기간행물)] - W. J. Gallagher / 1997 / Phys. 81, 3741 (1997). / Phys

[학술지(정기간행물)] - J. J. Sun / 2000 / Phys. Lett. 76, 2424 (2000) / Phys

[학술지(정기간행물)] - J. C. Slonczewski / 1989 / Phys. Rev. B 39, 6995 (1989). / Phys. Rev.

[학술지(정기간행물)] - E.-H. Kim / 2001 / J. of Magn. Magn. Mater. 233, L142 (2001) / J. of Magn.

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