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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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한국자기학회 한국자기학회지 한국자기학회지 제11권 제5호
발행연도
2001.10
수록면
196 - 201 (6page)

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Si(100)/Ta(50 Å)/NiFe(60 Å)/FeMn(250 Å)/NiFe(70 Å)/Al₂O₃/NiFe(150 Å)/Ta(50 Å)구조를 가진 자기터널접합의 자기저항비 향상에 관해서 연구하였다. 자성층과 절연층 사이 계면에 CoFe을 삽입하여 5.75%에서 13.7%까지 향상시켰다. 그리고 절연층은 16 Å의 Al을 순수한 산소 및 산소/아르곤 혼합 분위기에서 프라즈마 산화법으로 형성하였다. 순수한 산소 분위기에서는 최적 산화시간 30초에서 13.7%의 자기저항비를 얻었지만, 산소/아르곤의 혼합기체를 사용하면 최적 산화시간 40초에서 15.3%의 자기저항비를 얻었다..

목차

국문초록

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 실험방법

Ⅲ. 결과 및 고찰

Ⅳ. 결론

후기

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Abstract

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