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In the case of contacts between semiconductor and metal in semiconductor devices, they tend to be unstable because of thermal budget. To prevent these problems we deposited W-C-N diffusion barrier for preventing the interdiffusion between metal and semiconductor. The thickness of the barrier is 1,000 Å and the pressure is 3 mTorr during the deposition. In this work we coated LSMO (CMR material) on W-C-N diffusion barrier and then we studied the interface effects between LSMO layer and W-C-N diffusion barrier. We got results that the magnetic characteristics of LSMO thin film are still maintained after annealing at 800℃ for 3 hr because W-C-N thin diffusion barrier was prevented the diffusion of oxygen between LSMO and Si substrate.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experimental Details
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Conclusions
Acknowledgement
References
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