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대한전자공학회 전자공학회논문지-IE 電子工學會論文誌 IE編 第44卷 第2號
발행연도
2007.6
수록면
8 - 13 (6page)

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본 논문에서는 고효율의 유기발광소자 제작을 위해 플라즈마 조건 변화에 따른 ITO 특성을 분석하였다. N₂와 O₂ 가스로 RF 플라즈마 출력은 100 W, 200 W, 400 W로 가스압력은 12 mTorr, 120 mTorr로 변화실험을 하였다. N₂ 가스를 이용하여 플라즈마 처리한 ITO의 일함수는 4.88～5.07 eV의 값을 나타내었고 O₂ 가스를 이용하여 플라즈마 처리한 ITO는 4.85～4.97 eV의 일함수를 나타내었다. N₂ 가스에서 가스의 압력이 120 mTorr이면서 플라스마 출력이 200 W의 조건에서 RF 플라즈마 처리한 ITO의 특성이 우수하였다. ITO 표면의 rms roughness는 AFM 이미지에서 계산하여 나타낸 수치로써 N₂ 와 O₂ 가스가 주입된 플라즈마로 처리된 ITO는 플라즈마 출력이 200 W일 때 각각 25.2 Å과 30.5 Å로 나타났으며 플라즈마 처리되지 않은 ITO는 44.5 Å이었다. ITO 박막의 투과율 측정에서는 N₂와 O₂ 가스의 압력을 변화시켜도 ITO의 투과율은 거의 변동이 없었다.
#plasma #OLED #work function #ITO #N₂

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 측정 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
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