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대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2006년도 춘계학술대회 강연 및 논문 초록집
발행연도
2006.6
수록면
3,059 - 3,064 (6page)

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The 3-dimensional (3D) chip stacking technology is one of the leading technologies to realize a high density and high performance system in package (SIP). It could be found that the advanced process of through-hole via formation with the minimum damaged on the Si-wafer. Laser ablation is very effective method to penetrate through hole on the Si-wafer because it has the advantage that formed under 100㎛ diameter through-hole via without using a mask. In this paper, we studied the optimum method for a formation of through-hole via using various laser heat sources. Furthermore, the processing parameters of the specimens were several conditions such as power of output, pulse repetition rate as well as irradiation method and time. And also the through-hole via form could be investigated and analyzed by microscope and analyzer.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
후기
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