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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.7 No.2
- 발행연도
- 2007.6
- 수록면
- 82 - 87 (6page)
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The electrical properties of metallic junction diodes and metallic source/drain (S/D) Schottky barrier metal-oxide-semiconductor fieldeffect transistor (SB-MOSFET) were simulated. By using the abrupt metallic junction at the S/D region, the short-channel effects in nano-scaled MOSFET devices can be effectively suppressed. Particularly, the effects of trap states at the metal-silicide/silicon interface of S/D junction were simulated by taking into account the tail distributions and the Gaussian distributions at the silicon band edge and at the silicon midgap, respectively. As a result of device simulation, the reduction of interfacial trap states with Gaussian distribution is more important than that of interfacial trap states with tail distribution for improving the metallic junction diodes and SBMOSFET. It is that a forming gas annealing after silicide formation significantly improved the electrical properties of metallic junction devices.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. SIMULATION AND EXPERIMENT
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES
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