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대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2007도 추계학술대회 강연 및 논문 초록집
발행연도
2007.10
수록면
190 - 194 (5page)

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The temperature uniformity on a wafer during post-exposure bake (PEB) process in photolithography has been an important factor to critical dimension (CD) uniformity as the feature size of semiconductors decreases. To design the bake system which has enhanced temperature uniformity for the PEB process, the heat distribution of the system was analyzed numerically. Among many reasons of temperature non-uniformity, the effect of wafer warpage was investigated first. And as the results of this analysis implies, the numerical analysis for designing the resistive heater pattern of a multi-zone hot plate in the bake system was conducted. By the numerical analysis with Fluent 6.2, the need of the multi-zone hot plate and the possibility of the temperature non-uniformity on the multi-zone hot plate can be explained.
#Post-exposure Bake(노광 후 공정) #Temperature Uniformity(온도 균일도) #Wafer(웨이퍼) #Hot Plate(핫 플레이트)

목차

Abstract
1. 서론
2. 웨이퍼 열 변형 해석
3. 멀티 존 핫 플레이트 해석
4. 결론
참고문헌

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