산화막 CMP에서 발생하는 온도가 연마특성에 미치는 영향

김영진; 박범영; 김형재; 정해도

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김영진 박범영 김형재 정해도

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제2호

발행연도: 2008.1

수록면: 93 - 98 (6page)

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We investigated the effect of process temperature on removal rate and non-uniformity based on single head kinematics in oxide CMP. Generally, it has been known that the temperature profile directly transfers to the non-uniformity of removal rate on the wafer, which has similar tendency with the sliding distance of wafer. Experimental results show that platen velocity is a dominant factor in removal rate as well as average temperature. However, the non-uniformity does not coincide between process temperature and removal rate, due to slurry accumulation and low deviation of temperature. Resultantly, the removal rate is strongly dependent on the rotational speed of platen, and its non-uniformity is controlled by the rotational speed of polishing head. It means lower WIWNU (With-in-wafer-non-uniformity) can be achieved in the region of higher head speed.

#Oxide CMP #Single head kinematics #Temperature #Removal rate #Non-uniformity

참고문헌 (7)

참고문헌 신청

H.D. Jeong / 1996 / Development of CMP process for global planarization of ULSI / J. of the Korean Society of Mechanical Engineers 36 (3) : 220 ~

J. Sorooshian / 2005 / Tribological, thermal and kinetic characterization of dielectric and metal chemical mechanical planarization process / University of Arizona : 71 ~

M.R. Oliver / 2003 / Chemical-Mechanical Planarization of Semiconductor Materials / Springer : 158 ~

권대희 / 2002 / CMP특성과 온도의 상호관계에 관한 연구 / 한국정밀공학회지 19 (10) : 161 ~

김형재 / 2003 / CMP 공정에서 발생하는 연마온도 분포에 관한 연구 / 한국정밀공학회지 20 (3) : 223 ~

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