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Thin films of ZrO₂ and TiO₂ were deposited on Si (100) substrates using RF magnetron sputtering technique. To study an influence of the sputtering parameters, systematic experiments were carried out in this work. XRD data show that the ZrO₂ films were mainly grown in the [111] orientation at the annealing temperature between 800 and 1000℃ while the crystal growth direction was changed to be [012] at above 1000℃. FT-IR spectra show that the oxygen stretching peaks become strong due to SiO₂ layer formation between film layers and silicon surface after annealing, and proved that a diffusion caused by either oxygen atoms of ZrO₂ layers or air into the interface during annealing. Different crystal growth directions were observed with the various deposition parameters such as annealing temperature, RF power magnitude, and added O₂, amounts. The growth rate of TiO₂ thin films was increased with RF power magnitude up to 150 watt, and was then decreased due to a sputtering effect. The maximum growth rate observed at 150 watt was 1500 ㎚/hr. Highly oriented, crack-free, stoichiometric polycrystalline TiO₂ 〈110〉 thin film with Rutile phase was obtained after annealing at 1000℃ for 1 hour.
목차
Abstract
1. INTRODUCTION
2. EXPERIMENT
3. RESULTS AND DISCUSSION
4. CONCUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
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