PLD 법으로 제작한 In₂O₃-ZnO 박막의 광학적 및 전기적 특성

신현호; 한정우; 강성준; 윤영섭

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자료유형: 학술저널

저자정보: 신현호 한정우 강성준 윤영섭

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編第45卷第7號

발행연도: 2008.7

수록면: 32 - 36 (5page)

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본 연구에서는 펄스 레이저 법으로 200 mTorr 의 산소 분압에서 기판 온도를 200 ℃ 에서 600 ℃ 까지 변화시켜 가며, quartz 기판 위에 In₂O₃-ZnO 박막을 제작하여 광학적 및 전기적 특성을 조사하였다. XRD 측정을 통해 In₂O₃-ZnO 박막이 다결정 상태인 것을 알 수 있었으며, 기판 온도가 500 ℃ 로 증가함에 따라 35.5° 부근의 In₂O₃(400) 피크는 감소한 반면 30.6°부근의 In2O3 (222) 피크는 증가했다. 박막의 표면을 AFM 으로 조사한 결과, round type 의 결정립들이 관찰되었으며 표면 거칠기 값은 500 ℃ 에서 제작한 박막에서 가장 낮은 값 (6.15 ㎚) 을 나타내었다. 모든 In₂O₃-ZnO 박막이 가시광 영역에서 평균 82 % 이상의 투과율을 보였다. 또, 500 ℃ 에서 제작한 In2O3-ZnO 박막에서 가장 높은 캐리어 농도 (2.46×1020 ㎝-3) 값과 가장 낮은 비저항 (1.36×10-3 Ω㎝) 값을 나타내었다.

#In₂O₃-ZnO thin films #PLD #Transmittance #AFM #XRD

참고문헌 (11)

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1. [학술지(정기간행물)] - B. Yaglioglu / 2006 / A study of amorphous and crystalline phases in In2O3-10 wt.% ZnO thin films deposited by D.C. magnetron sputtering / Thin Solid Films 496 : 89 ~ 94

2. [학술지(정기간행물)] - B. T. Lee / 2006 / Growth and characterization of single crystalline Ga-doped ZnO films using rf magnetron sputtering / J. Phys. D: Appl. Phys 39 : 957 ~ 961

3. [학술지(정기간행물)] - H. Agura / 2003 / Low resistivity transparent conducting Al-doped ZnO films prepared by pulsed laser deposition / Thin Solid Films 445 : 263 ~ 267

4. [학술지(정기간행물)] - Y. S. Song / 2004 / Influence of process parameters on the characteristics of indium zinc oxide thin films deposited by DC magnetron sputtering / Thin Solid Films 467 : 117 ~ 120

5. [학술지(정기간행물)] - Y. S. Jung / 2003 / Influence of DC magnetron sputtering parameters on the properties of amorphous indium zinc oxide thin film / Thin Solid Films 445 : 63 ~ 71

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