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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 329 - 332 (4page)
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ZnO thin films were grown with different plume-substrate angles by pulsed laser deposition (PLD) to control the amount of ablated species arriving on a substrate per laser shot. The angles between plume propagation direction and substrate plane (P-S angle) were 0°, 45° and 90°. The growth time was changed in order to adjust film thickness. From the XRD pattern exhibiting a dominant (002) and a minor (101) XRD peak of ZnO, all films were found to be well oriented along c-axis. From the AFM image, it was found that the grain size of ZnO thin film was increased, as P-S angle decreased. UV intensity investigated by PL (Photoluminescence) increased as P-S angle decreased.
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/ 1994. / Pulsed Laser Deposition of Thin Films : 318 ~
/ 1996. / Correlation between photoluminescence and oxygen vacancies in ZnO phosphors 68 : 403 ~
/ 1997. / Optical properties of pulsed laser deposited ZnO thin films 58 : 853 ~
/ 1998. / "Excitonic ultraviolet laser emission at room temperature from naturally made cavity in ZnO nanocrytal thin films 56 : 239 ~
/ 1999. / Oxygen pressure- tuned epitaxy and optoelectronic properties of laser-deposited ZnO films on sapphire 75 : 3947 ~
/ 1996. / Correlation between photoluminescence and oxygen vacancies in ZnO phosphors 68 : 403 ~
/ 1997. / Optical properties of pulsed laser deposited ZnO thin films 58 : 853 ~
/ 1998. / "Excitonic ultraviolet laser emission at room temperature from naturally made cavity in ZnO nanocrytal thin films 56 : 239 ~
/ 1999. / Oxygen pressure- tuned epitaxy and optoelectronic properties of laser-deposited ZnO films on sapphire 75 : 3947 ~
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