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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 419 - 424 (6page)
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ZnO films doped with different contents of indium (0.1 ～ 10 at.%) were deposited on Si (111) substrate by Pulsed Laser Deposition (PLD). The structural, electrical and optical properties of the films were investigated using XRD, AFM, Hall and PL measurement. Results showed that un-doped ZnO film had (002) plane as the c-axis orientated growth, whereas indium doped ZnO films exhibited the peak of (002) and the weak (101) plane. In addition, in the indium doped ZnO films, the electron concentration is ten times higher than that of un-doped ZnO film, while the resistivity is ten times lower than that of un-doped ZnO film. The indium doped ZnO films have UV emission about 380 nm and show a red shift with increasing contents of indium. The I-V curve of the fabricated diode show the typical diode characteristics and have the turn on voltage of about 2 V.
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Ataev B. M. / 1995 / Highly conductive and transparent Ga-doped epitaxial ZnO films on sapphire by CVD / Thin Solid Films 260 : 19 ~
F. K. Shan / 2004 / Substrate effects of ZnO thin films perpared by PLD technique / J. Euro. Cera. Soci. 24 : 1015 ~
K. J. Chen / 2008 / Microstructures, optical and electrical properties of In-doped ZnO thin films prepared by sol-gel method / Appl. Surf. Scie (in press)
Ko H. J. / 2000 / Ga-doped ZnO films grown on GaN templates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy / Appl. Phys. Lett. 77 : 3761 ~
M. Caglar / 2007 / Electrical and optical property of undoped ZnO and In doped ZnO / Phys. Stat. Sol. 3 : 1334 ~
F. K. Shan / 2004 / Substrate effects of ZnO thin films perpared by PLD technique / J. Euro. Cera. Soci. 24 : 1015 ~
K. J. Chen / 2008 / Microstructures, optical and electrical properties of In-doped ZnO thin films prepared by sol-gel method / Appl. Surf. Scie (in press)
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