플라즈마 화학증착법으로 제조한 B-doped a-$Si_{1-X}$$C_X$:H 박막을 이용한 비정질 실리콘 박막 태양전지에 관한 연구

정연학 ,  박재석 ,  이재신

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

PECVD법으로 증착시킨 a-SiC:H 박막의 열처리온도 변화에 따른 특성분석

박문기 ,  최원석 ,  김인준 외 1명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2001 .06

PECVD 기법을 이용한 나노 결정 Si 박막의 제조 및 특성 평가

심재현 ,  박명범 ,  한규호 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

2001 .01

The Growth Mechanism of 3C-SiC ( 111 ) Thin Film on si ( 111 ) Substrate

Y. H. Seo ,  K. S. Nahm ,  Y. H. Lee 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

PECVD를 이용한 Si₃N₄ 박막의 공정변수에 따른 특성분석과 응용

신재완 ,  이복형 ,  이성대 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1999 .06

Characterization of B-doped a-Si : H Films Deposited by PECVD and Their crystallization behavior

정우철 ,  이정노 ,  안병태 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

PECVD를 이용한 SiO2 / Si3N4 박막의 특성 고찰 ( Characteristics of SiO2 / Si3N4 Films Using the PECVD Method Under Various Conditions )

김우진 ,  임우택 ,  김재영 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1991 .11

PECVD 기법에 의해 제조된 나노 결정 Si 박막의 구조 및 광학적 특성

심재현 ,  박명범 ,  한규호 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

2002 .01

비정질 p-SiC/i-Si/n-Si 박막 태양전지의 특성에 대한 i-SiC 완충층의 영향

신혁재 ,  김현철 ,  이재신

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

플라즈마 화학증착법에 의한 $\mu$C-SiC:H 박막의 성장

김현철 ,  이재신

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

PECVD로 증착된 SiC 박막의 다양한 금속으로 제작된 SiC Schottky diode 전기적 특성에 따른 연구

송진형 ,  김정우 ,  김지균 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2004 .11

비정질 p-SiC/i-SiC/i-Si/n-Si 박막 태양전지에서 i-SiC 완충층의 역할

김현철 ,  신혁재 ,  이재신

한국재료학회지

1999 .01

PECVD에 의한 μc-Si : H 박막트랜지스터의 제조 ( Fabrication of μc-Si : H TFTs by PECVD )

문교호 ,  이재곤 ,  최시영

전자공학회논문지-A

1996 .05

ECR-PECVD와 RF-PECVD법에 의해 증착된 TiN박막의 특성 비교

전병혁 ,  김종석 ,  이응직 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

PECVD 기법을 이용한 나노 결정 Si 박막의 구조 및 광학적 특성 평가

심재현 ,  박명범 ,  한규호 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

2002 .01

Optical Properties of Si nanocrystalline using PECVD

Hyeon Hun Yang ,  Han Wool Kim ,  Chang Gwon Lee 외 5명

대한전기학회 학술대회 논문집

2011 .11

Si(100)기판상에 3C-SiC결정성장

정연식 ,  정귀상 ,  Shigehi 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2002 .07

HMDS 단일 전구체를 이용한 다결정 3C-SiC 박막 성장

정귀상 ,  김강산 ,  한기봉

전기전자재료학회논문지

2007 .01