PECVD법으로 증착시킨 a-SiC:H 박막의 열처리온도 변화에 따른 특성분석

박문기 ,  최원석 ,  김인준 외 1명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2001 .06

ICP-CVD로 성장된 SiC 박막위에 다양한 금속으로 제작된 Schottky diode의 특성 분석

고석일 ,  김용상

대한전기학회 학술대회 논문집

2000 .11

대향 타겟 스퍼터링법으로 제작한 SiC SBD의 전기적 특성

이진선 ,  강태영 ,  김경환

반도체디스플레이기술학회지

2015 .01

Pt/4H-SiC Schottky Barrier Diodes의 특성에서 Schottky 접합의 열처리 효과

강수창 ,  금병훈 ,  도석주 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

ICP-CVD로 성장된 SiC박막의 Ni 금속 접합과 Ni/SiC Schottky diode의 특성 분석

길태현 ,  김용상

대한전기학회 학술대회 논문집

1999 .11

고온 , 고전압 Ni/4H-SiC 및 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드의 제작 및 전기적 특성 연구 ( Fabrications and Characterization of High Temperature , High Voltage Ni/6H-SiC and Ni/4H-SiC Schottky Barrier Diodes )

이호승 ,  이상욱 ,  신동혁 외 2명

전자공학회논문지-D

1998 .11

SiC 다이오드를 이용한 전력변환회로

이유신 ,  오덕진 ,  김희준

대한전기학회 학술대회 논문집

2001 .10

$B^+$ 이온주입을 이용한 4H-SiC Schottky Barrier Diode 소자의 항복전압 향상 특성에 관한 연구

강수창 ,  신무환

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

Pt-SiC 쇼트키 다이오드를 이용한 Co Gas 감지 특성에 대한 연구

노일호 ,  이주헌 ,  양성준 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2001 .11

FABRICATION OF 4H-SIC SCHOTTKY BARRIER DIODES WITH HIGH BREAKDOWN VOLTAGES

Kang ,  S.C. ,  Kum 외 6명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

Pt-SiC SCHOTTKY DIODE FOR DETECTION OF METHANE GAS

Lee ,  J.H. ,  Lee 외 7명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

플라즈마 화학증착법에 의한 $\mu$C-SiC:H 박막의 성장

김현철 ,  이재신

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

Characteristics of Ni/SiC Schottky Diodes Grown by ICP-CVD

Tae-Hyun Gil ,  Han-Soo Kim ,  Yong-Sang Kim

KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications

2004 .06

금속 (Pt)과 4H-SiC의 계면상태에 따른 실리콘 카바이드 기반 고온 가스센서 특성 분석

정지철 ,  구상모

전기전자재료학회논문지

2011 .01

Pd/다결정 3C-SiC 쇼트키 다이오드형 수소센서의 제작과 그 특성

정귀상 ,  안정학

센서학회지

2009 .01

SiC/SiC 복합재료의 제조 및 특성

이상필 ,  이진경 ,  손인수

대한기계학회 춘추학술대회

2012 .02

반응소결 SiC 재료와 SiC_f/SiC 복합재료의 특성

진준옥(Joon-Ok Jin) ,  이상필 ,  이진경 외 3명

대한기계학회 춘추학술대회

2003 .04

CVD로 성장된 다결정 3C-SiC 박막의 전기적 특성

안정학 ,  정귀상

한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회

2007 .01

SiC 단체와 SiC/SiC 복합재료의 충격파괴거동

서민수 ,  서창민

대한기계학회 춘추학술대회

2012 .02