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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.12
- 수록면
- 261 - 265 (5page)
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우리는 3차원 구조의 정사각형 단면 다중채널을 갖는 금속-산화물-반도체소자를 연구하였다. 다중채널의 단면은 게이트의 채널에 대한 제어력을 향상시키기 위하여 정사각형 모양으로 만들어졌다. 우리는 종래의 다중채널을 트랜지스터와 비교하여 정사각형 다중채널을 갖는 트랜지스터의 전기적 특성을 소개한다. 이 트랜지스터는 3차원 구조에서 채널에서 게이트까지의 균일한 거리를 가지기 때문에, 기존의 다중채널 트랜지스터보다 많은 이점이 있을 것이다. 본 논문에서는 3차원 소자 시뮬레이션 프로그램인 아틀라스를 활용하여 채널 단면이 20㎚×20㎚와 10㎚×30㎚인 n타입 다중채널 MOSFET의 Id-Vg(Drain current-Gate voltage), Id-Vd(Drain current-Drain voltage) 특성을 시뮬레이션하였다. 시뮬레이션 결과를 바탕으로 채널이 형성되는 단면의 둘레의 길이는 80nm로 동일하지만 정사각형 단면의 다중채널 MOSFET의 Drain Current가 약 1.3배 증가한 것을 확인하였다. 그리고 채널 길이에 따른 두 소자의 Threshold Voltage, DIBL(Drain Induced Barrier Lowering)과 SS(Subthreshold Swing) 그리고 Mobility를 측정해본 결과, 정사각형 단면의 다중채널 MOSFET의 성능이 개선되었다.
목차
요약
1. 서론
2. 본론
3. 결론
참고문헌
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