DGMOSFET에서 채널길이와 두께 비에 따른 문턱전압변화분석

정학기

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자료유형: 학술저널

저자정보: 정학기 (군산대학교)

저널정보: 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제14권 제10호

발행연도: 2010.10

수록면: 2,305 - 2,309 (5page)

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본 연구에서는 상단게이트와 하단게이트를 갖는 더블게이트 MOSFET에서 채널길이와 채널두께의 비에 따른 문턱전압의 변화에 대하여 분석하였다. 더블게이트 MOSFET는 두개의 게이트를 가지고 있기 때문에 전류제어 능력이 기존 MOSFET의 두배에 가깝고 나노소자에서 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점이 있다. MOSFET에서 채널길이와 채널두께는 소자의 크기를 결정하며 단채널효과에 커다란 영향을 미치고 있다. 채널길이가 짧아지면서 채널두께와의 비에 따라 단채널효과 중 문턱전압의 변화가 크게 영향을 받고 있다. 그러므로 이 연구에서는 DGMOSFET에서 채널길이와 채널두께의 비를 변화시키면서 문턱전압의 변화와 드레인 유기장벽감소현상을 분석할 것이다.

#채널길이 #채널두께 #단채널효과 #문턱전압 #나노소자 #드레인유기장벽감소 #DGMOSFET #Channel Length #Channel Thickness #Short Channel Effect #Threshold voltage #Nanodevice #DIBL

참고문헌 (5)

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1. [학술지(정기간행물)] - L.Ge / 1993 / Analytical Modeling uantization and Volume Inversion in Thin Si-Film DG MOSFETs / IEEE Trans. Electron Devices 40 (12) : 2326 ~

2. [학술지(정기간행물)] - D.S.Havaldar / 2006 / Subthreshold Current Model of FinFETs Based on Analytical Solution of 3-D Poisson's Equation / IEEE Trans. Electron Devices 53 (4)

3. [학술지(정기간행물)] - J.P.Colinge / 2004 / Multiple-gate SOI MOSFETs / Solid State Electron. 48 (6) : 897 ~ 905

4. [학술지(정기간행물)] - J.G.Fossum / 2003 / Physical insights on design and modeling of nanoscale FinFETs / IEDM Tech. Dig. : 679 ~ 682

5. [학술지(정기간행물)] - H.K.Jung / 2006 / Analysis of Subthreshold Carrier Transport for Ultimate DGMOSFET / IEEE Trans. Electron Devices 53 (4) : 685 ~ 691

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