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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.8 No.4
- 발행연도
- 2008.12
- 수록면
- 289 - 294 (6page)
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A 77 ㎓ 3-stage low noise amplifier (LNA) employing one co㎜on source and two cascode stages is developed using 0.13 ㎛ CMOS process. To compensate for the low gain which is caused by lossy silicon substrate and parasitic element of CMOS transistor, positive feedback technique using parasitic inductance of bypass capacitor is adopted to cascode stages. The developed LNA shows gain of 7.2 ㏈, S11 of -16.5 ㏈ and S22 of -19.8 ㏈ at 77 ㎓. The return loss bandwidth of LNA is 71.6 to 80.9 ㎓ (12%). The die size is as small as 0.7 ㎜ × 0.8 ㎜ by using bias line as inter-stage matching networks. This LNA shows possibility of 77 ㎓ automotive RADAR system using 0.13 ㎛ CMOS process, which has advantage in cost compared to sub-100 ㎚ CMOS process.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. TRANSISTOR MODEL
Ⅲ. GAIN BOOSTING CIRCUIT WITH POSITIVE FEEDBACK
Ⅳ. MMIC DESIGN
Ⅴ. MEASUREMENT RESULTS
Ⅵ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
참고문헌 (7)
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1. [학술대회논문] - R. Eye / 2003 / 77 GHz Low Noise Amplifier for Automotive radar applications / Proc. IEEE GaAs IC Symposium : 139 ~ 142
2. [학술지(정기간행물)] - S. Weinreb / 1999 / W-band InP Wideband MMIC LNA with 30K Noise Temperature / IEEE Int. Microwave Symposium Dig 1 : 101 ~ 104
3. [학술대회논문] - L. Wang / 2006 / 77GHz Automotive Radar Receiver Front-end in SiGe:C BiCMOS Technology / Proc. IEEE European Solid-State Cir. Conf. : 388 ~ 391
4. [학술지(정기간행물)] - C. H. Doan / 2005 / Millimeter-wave CMOS Design / IEEE J. Solid-State Circuits 40 (1) : 144 ~ 155
5. [학술대회논문] - T.W. Huang / 2008 / Millimeter-wave CMOS integrated circuits for gigabit WPAN applications / Proc. IEEE Custom Integrated Circuits Conf. : 463 ~ 470
2. [학술지(정기간행물)] - S. Weinreb / 1999 / W-band InP Wideband MMIC LNA with 30K Noise Temperature / IEEE Int. Microwave Symposium Dig 1 : 101 ~ 104
3. [학술대회논문] - L. Wang / 2006 / 77GHz Automotive Radar Receiver Front-end in SiGe:C BiCMOS Technology / Proc. IEEE European Solid-State Cir. Conf. : 388 ~ 391
4. [학술지(정기간행물)] - C. H. Doan / 2005 / Millimeter-wave CMOS Design / IEEE J. Solid-State Circuits 40 (1) : 144 ~ 155
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