I-V and C-V Measurements of Fabricated P +/N junction Diode in Antimony doped (111) Silicon

Won-ChaeJung

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2002 .01

낮은 에너지의 As₂^(+) 이온 주입을 이용한 얕은 n^(+)-p 접합을 가진 70nm NMOSFET의 제작 ( 70nm NMOSFET Fabrication with Ultra-shallow n+-p Junctions Using Low Energy As₂^(+) Implantations )

최병용 ,  성석강 ,  이용덕 외 1명

전자공학회논문지-SD

2001 .02

6H-SiC P^(+)n 접합의 항복 전압을 위한 해석적 모형 ( Analytical Model of Breakdown Voltages for 6H-SiC p^(+)n Junction )

정용성

전자공학회논문지-SD

2001 .06

투과전자현미경을 이용한 $n^+$/p 접합에서 불순물의 이차원적 분포에 관한 연구

Pa ,  k ,  Chel-Jong 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

HgCdTe p-n 접합 다이오드의 제작

韓平熙 ,  金忠基 ,  李相敦 외 1명

전기학회논문지

1989 .08

n+ ―p ― p+ 다이오드의 전압 전류 특성 해석 ( The J-V characteristics of n+ ―p ― p+ diodes )

이미희 ,  장호수 ,  이상조 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

P-N Junction & Schottky Diode

이종현

대한전자공학회 단기강좌

1982 .01

전력용 GaAs 다이오드의 설계 및 제작

윤형진 ,  신현범 ,  정규범

한국정보기술학회논문지

2005 .12

고속열확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti-실리사이드화 된 n+ -P 다이오드 특성분석 ( The formation of the Shallow Junction by Rapid Thermal Diffusion and characteristic Analysis for n+ -p Diode with Ti-silicide )

최도영 ,  이성욱 ,  주정규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

고속 열 확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti - 실리사이드화된 n - p 다이오드 특성 분석 ( The Formation of the Shallow Junction by RTD Characteristic Analysis for n - p Diode with Ti - silicide )

최도영 ,  이성욱 ,  주정규 외 3명

전자공학회논문지-A

1994 .08

실리콘에 Boron 이온 주입에 의한 Ultrashallow PN접합 형성에 관한 연구

김동수 ,  정원채

대한전자공학회 학술대회

2000 .06

Sulfur를 첨가한 In_1-xGa_xp의 발광 다이오드 특성

조명환 ,  문동찬 ,  김선태

대한전기학회 학술대회 논문집

1988 .11

Co/Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P⁺-N 극저접합 다이오드의 제작과 전기적특성

신철상 ,  엄우용 ,  장호정 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .06

원통형 접합경계를 갖는 punchthrough 다이오드의 항복전압에 대한 해석적 계산

김두영 ,  김한수 ,  최연익 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1994 .07

단일 패키지의 특성 분석을 통한 고출력 발광 다이오드 모듈의 접합 온도 측정

이세일 ,  김우영 ,  정영기 외 2명

전기전자재료학회논문지

2010 .01

이온주입 및 열처리 조건에 따른 박막접합의 특성 비교 ( Comparison of Shallow Junction Properties depending on Ion Implantation and Annealing Conditions )

홍신남 ,  김재영

전자공학회논문지-D

1998 .07

고속열확산에 의한 얕은접합 형성과 Ti- 실리사이드화 된 n⁺-p 다이오드 특성분석

崔度永 ,  李晟旭 ,  朱政奎 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

쇼트키-배리어 다이오드와 터넬다이오드를 사용한 전가산기 ( A Full Adder Using Schottky-Barrier Diodes and a Tunnel Diode )

임인칠

전자공학회지

1972 .06

원통형 접합 펀치쓰루 다이오드의 항복전압에 대한 해석적 모델링

金杜泳 ,  金翰秀 ,  韓民九 외 1명

전기학회논문지

1996 .05

고속열확산을 이용한 인확산 접합의 특성 분석과 다이오드 제작 ( Analyzing of Rapid Thermal Diffusion of Phosphorus and the Diode Fabrication )

노병규 ,  김종환 ,  박광균 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1992 .11