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ITO and ITO:Ce films were deposited by DC magnetron sputtering using an ITO (SnO₂: 10 wt%) and CeO₂ doped ITO (CeO₂: 0.5, 3.0, 4.0 and 6.0 wt%) ceramic targets, respectively, on unheated polyethylene terephthalate (PET) substrates. The lowest resistivity 6.7×10<SUP>-4</SUP> Ωcm was obtained from ITO:Ce film deposited using CeO₂ (3.0 wt%) doped ITO target. On hte other hand, ITO:Ce (0.5wt%) film has the excellent mechanical durability which was evaluated by bending test. This result was attributed to the higher binding energy of CeO₂ compared to SnO₂ and In₂O₃. Therefore, CeO₂ atoms have a small displacement caused by the bombardment of high energy particles, and it attribute to the increase in adhesion caused by decrease in internal stress. The average transmittance of the films was more than 80% in the visible region.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
후기
참고문헌
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