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Abstract
서론
실험
결론 및 고찰
Reference
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As Te Ge 무정형 반도체의 기억 및 스위칭소자
전기의세계
1973 .03
As-Te-Si-Ge 유리질 반도체의 전기전도에 관한 연구 ( A Study on Electrical Conduction of As-Te-Si-Ge Amorphous Semiconductor )
전자공학회지
1975 .04
Ge-Si-Te 기억소자의 온도 및 주파수영향
전기의세계
1975 .09
As-Ge-Te계 박막의 스위칭 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1994 .11
비정질 As-Ge-Te 박막의 물리적 성질 및 스위칭 특성
전기학회논문지
1995 .07
Formation and Properties of Mg-Cu-(Si, Ge) Amorphous Alloys
한국주조공학회지 (주조)
1997 .01
Electrical Switching Characteristics of Ge1Se1Te2 Chalcogenide Thin Film for Phase Change Memory
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2006 .01
비정질 As-Ge-Te 스위칭 소자의 전기적 및 마이크로파 주파수 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1995 .07
축적된 Ge층이 Si₁-ₓGeₓ/Si의 산화막 성장에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
비정질 Ge1Se1Te2 과 Ge2Sb2Te5 칼코게나이드 박막의상변화특성
전기전자재료학회논문지
2006 .01
$SiO_2$ 위에 LP-CVD로 증착한 비정질 $Si/Si_{0.69}Ge_{0.31}, Si_{0.69}Ge_{0.31}Si$ 및 Si의 결정화 거동
한국재료학회 학술발표대회
1995 .01
Prevention of degradation in poly $Si_{1-x}Ge_x$/high K structure by controlling Ge content in poly $Si_{1-x}Ge_x$ films
한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회
2002 .01
PAE에 의한 GaAs / Ge / Si구조를 의한 Si기판위의 Ge 결정성장 ( Ge crystal growth on Si substrate for GaAs / Ge / Si structure by Plasma Assisted Epitaxy )
대한전자공학회 학술대회
1989 .07
상변화 메모리 응용을 위한 Ge₁Se₁Te₂ 비정질 칼코게나이드 박막의 전도 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
2006 .10
PRAM을 위한 Si-doped Ge2Sb2Te5 박막의 상변화 특성 연구
전기전자재료학회논문지
2010 .01
Ag-첨가 Ge₂Sb₂Te5 박막의 물성 및 고속 결정화
전기전자재료학회논문지
2008 .01
As-Te-Si-Ge 非晶質薄膜 스위칭 素子의 電極影響에 關한 研究
전기의세계
1976 .01
Phase transition charateristics of As-doped Ge₁Se₁Te₂ film
대한전기학회 학술대회 논문집
2008 .07
As을 첨가한 Ge₁Se₁Te₂ 박막의 상변화 특성연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2008 .07
GaAs/Ge/Si 구조를 위하여 PAE법을 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Ge Crystal Growth on Si Substrate for GaAs/Ge/Si Structure by Plasma-Asisted Epitaxy )
전자공학회논문지
1989 .11
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