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이용수
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
[참고문헌]
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Characteristics of Ni/SiC Schottky Diodes Grown by ICP-CVD
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
2004 .06
ICP-CVD로 성장된 SiC박막의 Ni 금속 접합과 Ni/SiC Schottky diode의 특성 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .11
ICP 방법으로 증착한 SiC 박막의 성장 및 특성 고찰
대한전기학회 학술대회 논문집
1998 .11
PECVD로 증착된 SiC 박막의 다양한 금속으로 제작된 SiC Schottky diode 전기적 특성에 따른 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2004 .11
Pt/4H-SiC Schottky Barrier Diodes의 특성에서 Schottky 접합의 열처리 효과
한국재료학회 학술발표대회
1999 .01
대향 타겟 스퍼터링법으로 제작한 SiC SBD의 전기적 특성
반도체디스플레이기술학회지
2015 .01
Characterizations of i-a-Si:H and p-a-SiC:H Film using ICP-CVD Method to the Fabrication of Large-area Heterojunction Silicon Solar Cells
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2008 .01
$B^+$ 이온주입을 이용한 4H-SiC Schottky Barrier Diode 소자의 항복전압 향상 특성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
FABRICATION OF 4H-SIC SCHOTTKY BARRIER DIODES WITH HIGH BREAKDOWN VOLTAGES
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
Pt-SiC 쇼트키 다이오드를 이용한 Co Gas 감지 특성에 대한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2001 .11
Pt-SiC SCHOTTKY DIODE FOR DETECTION OF METHANE GAS
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
ICP-CVD 방법을 이용한 탄소나노튜브의 제작 및 물성분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .07
고온 , 고전압 Ni/4H-SiC 및 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드의 제작 및 전기적 특성 연구 ( Fabrications and Characterization of High Temperature , High Voltage Ni/6H-SiC and Ni/4H-SiC Schottky Barrier Diodes )
전자공학회논문지-D
1998 .11
SiC 다이오드를 이용한 전력변환회로
대한전기학회 학술대회 논문집
2001 .10
P-N Junction & Schottky Diode
대한전자공학회 단기강좌
1982 .01
CVD로 성장된 다결정 3C-SiC 박막의 전기적 특성
한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회
2007 .01
RFID tag 집적화를 위한 0.18 ㎛ 표준 CMOS 공정을 이용한 쇼트키 다이오드의 제작
대한전자공학회 학술대회
2006 .06
광 주파수 측정용 Schottky 다이오드의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characteristics of Schottky Diode at Laser Frequency )
대한전자공학회 학술대회
1987 .01
SOI Schottky Diode의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characteristics of SOI Schottky Diodes )
대한전자공학회 학술대회
1993 .01
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