급속열처리에 따른 Si 이온주입 유기결함의 회복 거동 ( Annealing Behaviors of Various Defects in Si during Rapid Thermal Annealing )

김광일 ,  권영규 ,  정욱진 외 2명

대한전자공학회 워크샵

1996 .01

고에너지 이온주입에 따른 격자 결함 발생 및 거동에 관한 열처리 최적화방안에 관한 연구

송영두 ,  곽계달

대한전기학회 학술대회 논문집

1999 .07

낮은 에너지의 As₂^(+) 이온 주입을 이용한 얕은 n^(+)-p 접합을 가진 70nm NMOSFET의 제작 ( 70nm NMOSFET Fabrication with Ultra-shallow n+-p Junctions Using Low Energy As₂^(+) Implantations )

최병용 ,  성석강 ,  이용덕 외 1명

전자공학회논문지-SD

2001 .02

반도체 재료내의 이온주입에 의한 격자결함 생성 및 열처리에 의한 활성화 효과 ( Defect Creation Caused by Ion Implantation and Activation Behabivior by Rapid Thermal Annealing on Semiconducting Materials )

이종람 ,  심규환 ,  김진섭 외 4명

전자공학회논문지

1988 .11

분자 동역학을 이용한 점 결함 및 극 저 에너지 실리콘 이온 주입에 관한 연구

Jeong-Won Kang ,  Myung-Sik Son ,  Ki-Ryang Byun 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

분자 동역학을 이용한 점 결함 및 극 저 에너지 실리콘 이온 주입에 관한 연구 ( A Study on the Silicon Point Defects and Ultra-Low Energy Si Ion Implantation using Classical Molecular Dynamics )

Jeong Won Kang ,  Myung Sik Son ,  Ki Ryang Byun 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .07

국부 셀 격자 결함 모델을 사용한 극 저 에너지 이온 주입에 관한 연구 ( A Study on the Ultra-Low Energy Ion Implantation using Local Cell Damage Accumulation Model )

권오근 ,  강정원 ,  황호정

전자공학회논문지-D

1999 .07

자동검사시스템에서 결함 가능성을 이용한 결함 검출

김민재 ,  이승민 ,  박길흠

한국통신학회 학술대회논문집

2014 .06

고속 열처리 장치를 이용한 Alloy 공정과 Implantation Annealing ( Metal Alloy and Implantation Annealing by Rapid Thermal Processing )

김충기 ,  이동엽 ,  조병진

한국통신학회 학술대회논문집

1989 .01

A Method to Establish Severity Weight of Defect Factors for Application Software using ANP

허상무 ,  김우제

Journal of KIISE

2015 .11

고에너지 이온주입 공정에 의한 유기 결함과 그 감소 대책

김영호 ,  김인수 ,  김창덕 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1997 .07

실리콘에 MeV로 이온주입된 As 와 Sb의 profile과 열처리에의한 이온의 거동에 관한 연구 ( A Study of Profiles and annealing behavior of As and Sb by MeV implantation in silicon )

정원채

전자공학회논문지-D

1998 .03

열처리와 분석을 중심으로

이창성

안전21

2002 .01

소프트웨어 결함 추이분석을 통한 테스트 프로젝트 개선방안에 대한 연구

장진욱

한국산학기술학회 논문지

2015 .01

내부 결함을 포함한 주조 알루미늄 합금의 충격 거동 해석

조성우 ,  곽시영

대한기계학회 논문집 A권

2012 .12