지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
이용수
Abstract
1. 서론
2. CVD에 의한 Poly-Si의 성장
Reference
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
마이크로웨이브법으로 고상결정화 시킨 poly-Si 박막을 이용하여 제작한 저온 poly-Si TFT의 특성
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
LPCVD로 증착된 WSix/poly-Si막 두께변화에 의한 W-polycide특성
전기학회논문지
1992 .10
자연 산화막과 엑시머 레이저를 이용한 poly-Si/a-Si 이중 박막 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
전기학회논문지 C
2000 .01
ELA(Excimer laser Annealing)에 의한 poly-Si의 $O_2$plasma에 의한 계면 거칠기 제어와 poly-Si TFT 특성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1999 .01
Improvement in Electrical Stability of poly-Si TFT Employing Vertical a-Si Offsets
한국정보디스플레이학회 학술대회
2000 .01
The a-Si:H/poly-Si Heterojunction Solar Cells
Journal of Electrical Engineering and information Science
1997 .10
Silicide-Enhanced Rapid Thermal Annealing을 이용한 다결정 Si 박막의 제조 및 다결정 Si 박막 트랜지스터에의 응용
한국재료학회지
2014 .01
희생층에 따른 Poly - Si의 결정성 평가
대한전자공학회 학술대회
1994 .11
저수소화 비정질 Si 박막 증착 및 ELC poly-Si TFT의 특성 연구
한국재료학회 학술발표대회
1999 .01
Study on removing the defects in LPCVD poly-Si films by two-stage deposition method
ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications
1995 .08
실리콘 이온 주입후 고상 결정화된 Poly-Si TFT의 전기적 특성 ( The Electrical Characteristics of Poly-Si TFT Using SPC Films After Si ion Implantation )
대한전자공학회 학술대회
1992 .11
희생층이 Poly-Si의 기계적 성질에 미치는 영향 ( The Effect of the sacrificial layers on mechanical properties poly-Si for surface micromachining )
대한전자공학회 학술대회
1994 .11
희생층이 Poly-Si의 기계적 성질에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
1994 .11
인이 주입된 poly-Si/SiO2/Si 기판에서 텅스텐 실리사이드의 형성에 관한 연구 ( Study on Formation of W-Silicide in the Doped-Phosphorus poly-Si/SiO2/Si-Substrate )
전자공학회논문지-A
1996 .03
희생층에 따른 Poly-Si의 결정성 평가
대한전자공학회 학술대회
1994 .11
Structure Analysis of Poly -block-poly
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2000 .04
Offset poly-Si TFT의 ON/OFF 특성
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
Multijunction Solar Cells Using A-Si:H Films on Poly-Si Wafer
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
Effect of Density-of-States (DOS) Parameters on the N-channel SLS Poly-Si TFT Characteristics
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2006 .01
0