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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.10
- 수록면
- 165 - 168 (4page)
이용수
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The experimental results of exposing IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) samples to gamma radiation source show shifting of threshold voltages in the MOSFET and degradation of carrier mobility and current gains. At low total dose rate. the shift of threshold voltage is the major contribution of current increases. but for more than some total dose, the current is increased because of the current gain degradation occurred in the vertical PNP at the output of the IGBTs. In the paper. the collector current characteristics as a function of gate emitter voltage (VGE) curves are tested and analyzed with the model considering the radiation damage on the devices for gate bias and different dose. In addition, the model parameters between simulations and experiments are found and studied.
목차
Abstract
1. INTRODUCTION
2. RADIATION EFFECTS ON IGBT
3. DESCRIPTION OF MODEL
4. CONCLUSIONS
[참고문헌]
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