$SiO_2$ 위에 LP-CVD로 증착한 비정질 $Si/Si_{0.69}Ge_{0.31}, Si_{0.69}Ge_{0.31}Si$ 및 Si의 결정화 거동

김태훈 ,  류명관 ,  김진원 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1995 .01

고농도의 Ge 함량을 가진 Biaxially Strained SiGe/Si Channel Structure의 정공 이동도 특성

정종완

전기전자재료학회논문지

2008 .01

SiGe/Si 다층박막의 광발광과 광전류

김택성 ,  길연호 ,  이훈기 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

Si-Ge-H-Cl 계를 이용한 자기정렬 HBT용 Si 및 SiGe의 선택적 에피성장

강진영 ,  박찬우 ,  김상훈 외 2명

전기전자재료학회논문지

2003 .01

축적된 Ge층이 Si₁-ₓGeₓ/Si의 산화막 성장에 미치는 영향

신창호 ,  강대석 ,  박재우 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

RPCVD로 성장한 SiGe/Si QD의 광전류스펙트럼

김택성 ,  정미라 ,  문란주 외 6명

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

Si₁ₓ-Geₓ/Si 구조에서의 Hall 이동도

강대석 ,  신창호 ,  박재우 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

Strained Si/Relaxed SiGe/SiO2/Si 구조 FD n-MOSFET의 전자이동도에 Ge mole fraction과 strained Si 층 두께가 미치는 영향

백승혁 ,  심태헌 ,  문준석 외 6명

전자공학회논문지-SD

2004 .10

Si/SiGe을 이용한 새로운 단전자 트랜지스터

이수정 ,  이점식

대한전자공학회 학술대회

1997 .06

Si / Si0.8 Ge0.2 / Si 양자우물구조에서의 정공특성 분석

전상훈 ,  홍성철 ,  이승창 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

TOP ELECTRODE ANNEALING EFFECTS IN SrBi$_2$Ta$_2$O$_9$/CeO$_2$/Si STRUCTURE

Shin ,  Dong-Suk ,  Lee 외 5명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

Si(100)의 얇은 산화막을 통한 Co$Si_{2}$형성에 관한 연구

신영철 ,  전형탁

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

선형열처리를 이용한 Si(100)/Si₃N₄∥Si(100)기판쌍의 직접접합

이영민 ,  송오성 ,  이상현

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2000 .11

PAE에 의한 GaAs / Ge / Si구조를 의한 Si기판위의 Ge 결정성장 ( Ge crystal growth on Si substrate for GaAs / Ge / Si structure by Plasma Assisted Epitaxy )

김성수 ,  박상준 ,  최시영

대한전자공학회 학술대회

1989 .07

SiGe HBT 제작을 위한 실리콘 게르마늄 단결정 박막의 RBS 분석

한태현 ,  서광열 ,  안호명

전기전자재료학회논문지

2004 .01

$Al_2O_3$/si 기판위에 형성한 (Bi,La)$Ti_3O_{12}$ 박막의 특성

황선환 ,  장호정 ,  장영철

한국재료학회 학술발표대회

2002 .01

Poly-Si/$SiO_2$/Si 기판위에 증착된 코발트실리사이드의 전기적 특성

노영규 ,  장호정

한국재료학회 학술발표대회

2002 .01

GaAs/Ge/Si 구조를 위하여 PAE법을 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Ge Crystal Growth on Si Substrate for GaAs/Ge/Si Structure by Plasma-Asisted Epitaxy )

박상준 ,  박명기 ,  최시영

전자공학회논문지

1989 .11

직접 접합된 Si-Si, Si-$SiO_2$/Si기판쌍의 접합 계면에 관한 연구

주병권 ,  방준호 ,  이윤희 외 2명

한국재료학회지

1994 .01