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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제9호
발행연도
2004.1
수록면
916 - 923 (8page)

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In this paper, the strained Si0.9Ge0.1 epitaxial layers grown by a reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD) on Si (100) were characterized by Rutherford backscattering spectrometery (RBS) for the fabrication of an SiGe heterojunction bipolar transistor(HBT). RBS spectra of the Si0.9Ge0.1 epitaxial layers grown on the Si substrates which were implanted with the phosphorus (P) ion and annealed at a temperature between 850 ℃ - 1000 ℃ for 30min were analyzed to investigate the post thermal annealing effect on the grown Si0.9Ge0.1 epitaxial layer quality. Although a damage of the substrates by P ion-implantation might be cause of the increase of RBS yield ratios, but any defects such as dislocation or stacking fault in the grown Si0.9Ge0.1 epitaxial layer were not found in transmission electron microscope (TEM) photographs. The post high temperature rapid thermal annealing (RTA) effects on the crystalline quality of the Si0.9Ge0.1 epitaxial layers were also analyzed by RBS. The changes in the RBS yield ratios were negligible for RTA a temperature between 900 ℃ - 1000 ℃ for 20 sec, or 950 ℃ for 20 sec - 60 sec. A SiGe HBT array shows a good Gummel characteristics with post RTA at 950 ℃ for 20 sec.
#SiGe #SiGe HBT #RBS #RPCVD #RTA

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/ 1974. / Defects in epitaxial multilayers I. Misfit dislocations in layers 27 : 118 ~ google schola / 1975. / Defects in epitaxial multilayers II. Dislo- cation pile-ups, threading dislocations, slip lines and cracks 32 : 265 ~ google schola / 1994. / A 200 mm SiGe-HBT technology for wireless and mixed-signal applications : 437 ~ google schola / 1997. / A 9GHz bandwidth preamplifier in 10Gbps optical receiver using SiGe-base HBT : 356 ~ google schola / 1998. / A new contender for Si-based RF and microwave circuit applications IEEE Tran- sactions on Microwave Theory and Tech- niques 46 (5) : 572 ~ google schola

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