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이용수
요약
Ⅰ. 서론
2. 구조 및 이론
3. 시뮬레이션 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
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S / SiGe을 이용한 새로운 단전자 트랜지스터 ( A Novel Single Electron Transistor Using Si / SiGe )
대한전자공학회 학술대회
1997 .07
Selective Etching of SiGe on SiGe/Si Heterostructures
KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING
1990 .01
고속 동작용 Si / SiGe 이종 접합 바이폴라 트랜지스터의 주파수 특성과 전력 특성 ( High-Frequency and Breakdown Characteristics of Si / SiGe Heterojunction Bipolar Transistors )
대한전자공학회 학술대회
1993 .01
Study on the Growth of SiGe film on Si Substrate using Solid Phase epitaxy
Fabrication and Characterization of Advanced Materials
1995 .01
Si/SiGe계 가변형 광스위치의 최적화 구조 설계
한국통신학회 기타 간행물
2002 .10
Si-Ge-H-Cl 계를 이용한 자기정렬 HBT용 Si 및 SiGe의 선택적 에피성장
전기전자재료학회논문지
2003 .01
SiGe/Si 다층박막의 광발광과 광전류
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
SiGe 에피막의 열 산화 ( Thermal Oxidation of SiGe )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
A Study on Carrier Injection Velocity in sub-100㎚ SiGe Channel pMOSFETs Using RF C-V Measurement
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
SiGe/Si 다층박막의 광발광과 광전류
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
SiGe를 사용한 주파수 혼합기 설계
대한전자공학회 학술대회
2004 .12
고농도의 Ge 함량을 가진 Biaxially Strained SiGe/Si Channel Structure의 정공 이동도 특성
전기전자재료학회논문지
2008 .01
SiGe/Si/SiGe Channel을 이용한 JFET의 전기적 특성
전기전자재료학회논문지
2009 .01
Si / SiGe / Si 이종 접합 바이폴라 소자에서 기생 전위가 베이스 전류에 미치는 영향의 해석적 모델링 ( Analytical Modeling for the Effect of Parasitic Potential Barrier on the Base Current of Si / SiGe / Si DHBTs )
전자공학회논문지-A
1994 .04
Si/SiGe HBT 최대 전류이득의 온도 의존성
대한전자공학회 학술대회
1994 .11
Si / SiGe HBT 최대 전류이득의 온도 의존성 ( Temperature Dependences of Maximum Current Gain in Si / SiGe HBTs )
대한전자공학회 학술대회
1994 .11
SiGe pMOSFETs 의 저온 초고주파 특성 연구
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
SiGe 이중채널 구조에서의 이동도 연구
대한전자공학회 학술대회
2007 .07
SiGe 이중채널 구조에서의 이동도 연구
대한전자공학회 학술대회
2007 .07
Solid-Source Si Molecular Beam Epitaxy를 이용한 Si , SiGe 박막의 선택적 성장기술의 연구
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
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