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저자정보
김동현 (홍익대학교) 박승호 (홍익대학교) 홍원의 (홍익대학교) 노재상 (홍익대학교)
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2010년도 마이크로/나노공학부문 춘계학술대회 논문집
발행연도
2010.5
수록면
75 - 81 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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대면적 비정질 실리콘 박막의 결정화는 평판 디스플레이 생산에 있어서 핵심 요소로 꼽힌다. 현재 다양한 결정화 기술들이 연구 되고 있으며 그 중 최근에 소개된 줄 가열 유도 결정화는 수십 마이크로초의 짧은 공정 시간, 대면적 결정화 그리고 국부적인 가열로 기판의 열변형 억제 등의 잇점으로 인해 AMOLED 제작에 있어서 기대되는 기술이다. 본 연구에서는 JIC 공정 중 상변화과정에서의 온도를 이론적으로 해석하고 이를 실험과 비교하였다. 이를 통하여 결정화 메커니즘을 결정하는 임계온도를 in-situ 실험과 수치해석을 통해 밝혀내었다.

목차

초록
Abstract
1. 서론
2. 온도 측정
3. 온도 해석 모델
4. 결과 및 토의
5. 결론
후기
참고문헌

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