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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.11
- 수록면
- 337 - 342 (6page)
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In this paper, the optimized doping condition of mono crystalline silicon solar cells with 156 × 156 ㎟ area was studied. To optimize the pre-deposition temperature in the doping process, the other conditions except variable pre-deposition temperature were fixed. These conditions were obtained in previous studies. After etching 7 μm of the surface to form the pyramidal structure, pre-deposition temperature was changed in range of 780 ℃ to 820 ℃ with 10 ℃ increment and drive-in temperature were fixed at 865 ℃. The silicon nitride deposited by the PECVD had 75 nm thickness with 2-2.1 refractive index. The silver and aluminium electrodes for front and back sheet, respectively, were formed by screen-printing method, followed by firing in 400-425-450-550-880 ℃ five-zone temperature conditions to make the ohmic contact.
Mono crystalline silicon solar cell made in 790 ℃ as the pre-deposition temperature revealed 16.9 % conversion efficiency which was best in this study. This solar cells showed 34.78 ㎃/㎠ of the current density, 629 ㎷ of the open circuit voltage and 77.1 % of the fill factor.
Mono crystalline silicon solar cell made in 790 ℃ as the pre-deposition temperature revealed 16.9 % conversion efficiency which was best in this study. This solar cells showed 34.78 ㎃/㎠ of the current density, 629 ㎷ of the open circuit voltage and 77.1 % of the fill factor.
목차
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
참고문헌
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