태양전지 응용을 위한 PECVD 실리콘 질화막 증착 및 열처리 최적화

柳鎭洙; Kumar Dhungel; 李準信

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자료유형: 학술저널

저자정보: 柳鎭洙 Kumar Dhungel 李準信

저널정보: 대한전기학회 전기학회논문지 C 전기학회논문지 제55C권 제12호

발행연도: 2006.12

수록면: 565 - 569 (5page)

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Plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) is a well established technique for the deposition of hydrogenated film of silicon nitride (SiNx:H), which is commonly used as an antireflection coating as well as passivating layer in crystalline silicon solar cell. PECVD-SiNx:H films were investigated by varying the deposition and annealing conditions to optimize for the application in silicon solar cells. By varying the gas ratio (ammonia to silane), the silicon nitride films of refractive indices 1.85 - 2.45 were obtained. The film deposited at 450°C showed the best carrier lifetime though the film deposition rate was not encouraging. The film deposited with the gas ratio of 0.57 showed the best carrier lifetime after annealing at a temperature of 800℃. The single crystalline silicon solar cells fabricated in conventional industrial production line applying the optimized film deposition and annealing conditions on large area substrate of size 125 ㎜×125 ㎜ (pseudo square) was found to have the conversion efficiencies as high as 17.05 %. Low cost and high efficiency silicon solar cells fabrication sequence has also been explained in this paper.

#Antireflection coatings #Silicon nitride #Annealing #Passivation #Solar cells

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