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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.12
- 수록면
- 1 - 7 (7page)
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본 논문은 멀티레벨을 갖는 PoRAM 셀의 데이터를 센싱하는 기법에 관하여 제안하였다. PoRAM은 유기물질을 사용한 단위 셀의 상,하단 전극에 전압을 가했을 때 나타나는 저항 상태의 변화로 셀 데이터를 구분하는 메모리 소자이다. 특히 한 셀당 최대 4 레벨의 안정된 저항 값을 가지므로 멀티레벨 셀로 활용이 가능하다. 따라서 멀티레벨의 센싱을 위해 어드레스 디코딩 방법, 센스 앰플리파이어, 이를 위한 제어 신호 등을 새롭게 제안하였다. 센스 앰플리파이어는 셀에 흐르는 전류를 입력 값으로 받아 설정된 기준 전류(I<SUB>REF</SUB>)와 비교하는 전류 비교기를 기본으로 구성되며, 전류를 증폭하기 위해 낮은 입력 임피던스를 갖도록 설계되었다. 제안된 기법에 의해 설계된 회로는 0.13㎛ CMOS 공정 라이브러리를 사용하여 설계되었고, 이를 사용함으로써 단위 셀에 흐르는 서로 다른 4 가지 전류 값이 각각 데이터 “00”, “01”, “10”, “11” 으로 정확히 센싱 되는 것을 검증하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 멀티레벨을 갖는 PoRAM 단위 셀
Ⅲ. 각 블록 회로의 설계
Ⅳ. 실험 결과
Ⅴ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (10)
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1. [학술지(정기간행물)] - 양병도 / 2007 / 선택적 데이터 쓰기 기법을 이용한 저전력 상변환 메모리 / 전자공학회논문지 - SD 44 (1) : 45 ~ 50
2. [학술지(정기간행물)] - Fuchs, G.D / 2004 / Spin-transfer effects in nanoscale magnetic tunnel junctions / Applied Physics Letters 85 (7) : 1205 ~ 1207
3. [학술지(정기간행물)] - Young Ho Do / 2008 / Resistive Switching Characteristics of TiO2 Films with Embedded Co Ultra Thin Layer / JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 8 (1) : 80 ~ 84
4. [학술지(정기간행물)] - Liping Ma / 2004 / Organic nonvolatile memory by controlling the dynamic copper-ion concentration within organic layer / Appl. Phys. Letters 84 (24) : 4908 ~ 4910
5. [학술지(정기간행물)] - K.T Park / 2008 / A zeroing cell-to-cell interference page architecture with temporary LSB storing and parallel MSB program scheme for MLC NAND flash memories / IEEE Journal of Solid-State Circuits 43 (4) : 919 ~ 927
2. [학술지(정기간행물)] - Fuchs, G.D / 2004 / Spin-transfer effects in nanoscale magnetic tunnel junctions / Applied Physics Letters 85 (7) : 1205 ~ 1207
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